Выпущены первые энергонезависимые прототипы ОЗУ

Выпущены первые энергонезависимые прототипы ОЗУ

Оперативная память современных компьютеров построена по принципу динамической памяти с произвольным доступом (DRAM). Все плюсы технологии перевесили один значимый минус — энергозависимость. А что если устранить и его?

Японская компания Elpida Memory Inc. разработала первые прототипы нового стандарта — ReRAM (Resistance Random Access Memory). Образцы емкостью 64 мб создавались по 50 нм техпроцессу.

ReRAM открывает новую эру в полупроводниковой памяти произвольного доступа. Тут нашлось применение мемристорам (новоиспеченный конкурент SSD) — проводникам из диоксида титана. Они способны менять сопротивление под воздействием проходящего тока.

Новинка сохраняет все преимущества DRAM и FLASH памяти. Скорость записи данных — 10 нс. Количество записывающих циклов в десятки раз превышает значение для флэш-накопителей. И, конечно, при выключении питания вся информация сохраняется. Не нужно будет бояться потерять результаты работы из-за внезапного отключения электроэнергии.

Проект разрабатывается при поддержке организаций New Energy, NEDO и правительственного финансирования. Для его развития подключатся специалисты Sharp, ученые национального института AIST и Токийского университета.

Уже к 2013-2015 годам планируется начать производства устройств на базе ReRAM с увеличенной ёмкостью и 30 нм техпроцессом. С конвейера выйдут не только планки ОЗУ, но и гигабайтные накопители, которые должны составить конкуренцию дорогостоящим SSD-винчестерам.

Автор

Запись опубликована 30 Январь 2012 в разделе Технологии